至于诉讼案的最终输赢，靠山则在其次。
（C）SSPt-RuO2HNSs、寨B站起D站SeO2和Se网格的SeK-edgeXANES光谱。已经（D）SSPt-RuO2HNSs的高分辨率HAADF-STEM图像。
（F）SSPt-RuO2HNSs||SSPt-RuO2HNSs在100mAcm-2在PEM电解槽中的计时电位测试图四、半截催化剂的结构分析（A-B）SSPt-RuO2HNSs、PtO2和Pt箔的PtL3-edgeXANES和PtL3-edgeEXAFS光谱。四、入土【数据概览】图一、形貌和结构表征（A）SSPt-RuO2HNSs的HAADF-STEM图像。靠山（D）Pt-RuO2中表面Ru原子4d轨道的PDOS。
（D-E）SSPt-RuO2HNSs、寨B站起D站商用RuO2和Ru箔的RuK-edgeXANES和RuK-edgeEXAFS光谱。已经（B）SSPt-RuO2HNSs的TEM图像。
（D-E）SSPt-RuO2HNS、半截RuO2HNSs和商用Pt/C的HER极化曲线和相应Tafel斜率。
尽管RuO2对酸性OER的稳定性有很大提高，入土但RuO2在酸性条件下的稳定性仍不能满足实际应用的要求。在这些系统中，靠山电子的自旋被锁定在与其动量垂直的方向上，因此电荷电流的流动导致垂直取向上的均匀自旋极化。
寨B站起D站（c）Te磁阻在不同温度下沿水平和横向手性z轴测量值。已经（d）两个具有相反手性的TeNWs的晶体结构示意图和STEM图。
半截这些效应是由来自Te径向自旋织构的Edelstein效应引起。测量的UMR是基于手性依赖的Edelstein效应来解释，入土该效应由Te价带H点处的径向自旋织构引起，而该织构在空穴掺杂TeNWs中占主导地位。
